半导体制作
。半导过程中运用的体制体剖气体品种繁复
，这些气体大致上可区分为大宗气体与特别气体。程气从制程功用的半导视点来看 ，气体的体制体剖分类更为详尽，包含反使用气体 、程气清洗用气体、半导燃烧用气体 、体制体剖载气等 。程气

在。半导半导体
。体制体剖制作的程气微观世界里，制程气体扮演着至关重要的半导人物 ，它直接影响工艺精度 、体制体剖产品良率以及出产安全 。程气但是
，这些气体的剖析与监测却面临着许多应战。

应战1
。

超高纯度与痕量杂质检测。

半导体制作对制程气体的纯度要求极高，像氩气、氮气、硅烷等气体
，其纯度需到达ppb（十亿分之一）乃至 ppt（万亿分之一）等级。因为哪怕是一丁点的微量杂质，如水分、氧气 
、颗粒物等 ，都或许导致晶圆缺点。

传统检测技能（如气相色谱、质谱），在灵敏度与抗搅扰才能方面存在缺乏
。高分辨率质谱（H。RMS。）和激光光谱技能（如 TDLAS）应运而生
，但这类设备不只本钱昂扬
，保护难度也极大
。

应战2 。

杂乱混合气体的实时剖析 。

半导体工艺中，常常会用到多组分的混合气体（如 C4F8/O2/Ar 蚀刻气体）。剖析时需一起监测主成分、副产物（如 CFx、聚合物）及残留物 ，但不同气体的光谱或质谱。信号。或许堆叠（如N₂与CO的质荷比附近）
，导致检测成果混杂。

更具应战性的是，快速工艺（如原子层堆积ALD）要求剖析体系具有毫秒级呼应才能，而传统采样办法因推迟问题难以满意。

应战3
。

极点环境下的剖析可靠性  。

半导体制作环境或许触及高温（>500℃）
、。高压
。、等离子体或腐蚀性气体（如Cl₂ 、HF）。这些极点条件对。传感器 。资料构成了严峻应战 ，简单导致传感器腐蚀或热漂移，然后影响剖析成果的准确性(如金属氧化物半导体传感器在HF环境中或许会失效 ，而等离子体则会搅扰。光学 。检测信号) 。

应战4。

毒性/易燃气体安全监测 。

硅烷（自燃）
、砷烷（剧毒）、六氟化钨（强腐蚀）等气体一旦走漏，或许引发严峻的安全事故 。因而，需求在极低浓度（ppm级）下快速检测这些气体，一起避免因环境搅扰导致的误报 
。

应战5 。

数据剖析与体系整合。

制程气体剖析发生的海量数据需求实时处理，并与制程设备（如MES体系）进行联动 。此外 ，多源数据（如气体浓度 、流量 、温度）的同步与相关剖析也是一大应战 。

应战6 。

新式工艺带来的新需求 。

跟着半导体技能的不断发展，先进制程（如3nm以下） 、第三代半导体（GaN、SiC）及EUV光刻技能等新式工艺对气体提出了更高的要求。例如，EUV光刻需求操控H₂中的CO杂质
，以避免镜面污染；SiC外延成长需求准确调控SiH₄/C₃H₈份额，传统热导检测器（TCD）因动态规模约束难以担任。

在半导体制程中，气体剖析的关注点不只包含一般气体规范中的纯度项目 ，更多杂质项目（包含金属 、离子、颗粒等）同样是要害监测目标。因为不同气体特性差异明显 ，剖析时需针对其特性 ，选用专用或特别规划的实验室剖析仪器或线上剖析仪器。

SGS半导体超痕量剖析实验室 。

此外 ，实验室的安全设施与尾气处理体系也是必需考量要素 ，需保证在气体剖析过程中有用操控安全危险及环境影响。而在特别气体的取样（采样）环节，其技能要求与安全防护的重要性乃至高于剖析环节自身。

SGS已在台湾与爱尔兰建立了完善的半导体气体剖析才能
，检测规模掩盖纯度、杂质、水分、氧气
 、颗粒、金属 、离子等多项目标；SGS坐落上海的半导体超痕量剖析实验室现在已具有部分检测才能 ，并正活跃拓宽更完全的剖析服务，以满意半导体职业日益苛刻的气体检测需求。